RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
42
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
19
Velocità di lettura, GB/s
9.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3314
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link