RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
71
Intorno -173% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
26
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2756
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link