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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
71
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
41
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2238
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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