RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
71
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
32
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3222
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link