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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
71
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
38
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3030
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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