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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
50
Velocità di lettura, GB/s
15.2
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2514
2326
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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