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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
8500
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
1207
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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