Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 9.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 9.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2227 left arrow 1207
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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