RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
39
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
37
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
2082
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link