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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2740
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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