RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3212
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link