RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3291
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link