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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
16.7
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2443
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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