Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Punteggio complessivo
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 15.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 106
    Intorno -293% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    106 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,273.7 left arrow 15.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    734 left arrow 2764
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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