RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2001
3657
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link