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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
15.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
2307
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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