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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
15.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
65
Velocità di lettura, GB/s
15.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
1921
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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