RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
15.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
3676
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link