RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3434
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link