RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
16.1
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
4506
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link