RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno 52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
52
Velocità di lettura, GB/s
16.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2260
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link