Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 43
    Intorno -39% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    21.4 left arrow 14.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 21.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 16.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 3809
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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