RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
43
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
36
Velocità di lettura, GB/s
14.9
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3238
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link