RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
27
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2892
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link