RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
24
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2946
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Jinyu 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link