Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    20 left arrow 43
    Intorno -115% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.9 left arrow 14.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 20
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 17.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 14.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 3127
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti