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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2633
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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