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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
83
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
83
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
1774
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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