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Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
7.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
6.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
7.6
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1160
2512
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
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