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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
59
Intorno -195% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
20
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3426
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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