RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
24
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3012
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link