RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
59
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
37
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2824
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link