RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3115
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link