RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
59
Intorno -74% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
34
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2468
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link