RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
69
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
23
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3147
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link