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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
54
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,926.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
32
Velocità di lettura, GB/s
4,419.9
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,926.6
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
662
3372
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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