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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
58
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
34
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3178
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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