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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
58
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
40
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2965
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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