Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 14
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 58
    Intorno -57% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.7 left arrow 1,950.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    58 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,241.0 left arrow 14.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,950.7 left arrow 9.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    651 left arrow 2277
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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