RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
46
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
39
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2478
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link