RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
46
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
41
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2087
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link