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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
57
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
57
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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