RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3255
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link