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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Motivi da considerare
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
46
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
37
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3235
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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