RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
27
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3651
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link