RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2665
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link