RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
46
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
45
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
5.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1535
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link