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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
60
Intorno -233% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
18
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3286
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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