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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
60
Intorno -161% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
23
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3011
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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