Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valore medio nei test
Inmos + 256MB Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 60
    Intorno -100% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 2,168.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    16800 left arrow 5300
    Intorno 3.17 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,595.2 left arrow 11.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    941 left arrow 2318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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