RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
66
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
66
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
1953
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link